Uma nova abordagem pode ajudar a tornar os futuros chips de IA menores e mais eficientes em termos energéticos. Uma equipe de pesquisa liderada pela KAIST utilizou um único material para resolver um dos principais obstáculos enfrentados pelos semicondutores atomicamente finos: a dificuldade de injetar carga de forma eficiente. A tecnologia pode contribuir para a próxima geração de IA e dispositivos semicondutores de baixa potência, nos quais múltiplas camadas ultrafinas são verticalmente integradas para aumentar a densidade e o desempenho do dispositivo.
Fonte: TechXplore AI
Publicado em 2026-09-16